内存条1.35v和1.5v的区别

黄现芹 2019-10-15 12:10:00

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DDR3L内存的SPD芯片里会包含支持电压的数据,可根据芯片组的内存插槽的支持自适应1.5V或1.35V的工作电压。英特尔方面是从IVB开始才引入DDR3L内存的支持规范,也就是说DDR3L只有安装在2019年IVB或Haswell平台才能工作在1.35V的低压上,而安装在更老的平台时依旧只能以1.5V的电压运行,起不到节能环保的效果。部分老款笔记本可能存在一定的“挑内存”现象。总之,为了避免出现不可预见的兼容性问题,并且根据物尽其用的原则,一般只建议2019年下半年才上市的IVB和Haswell平台新品与DDR3L内存搭配。
龚寅雷2019-10-15 14:02:30

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  • 1.5v的叫标准电压内存1.35的叫低电压内存,更节能,发热更低你完全可以替换,都用1.35的低电压的,效果更理想。
    赵飞行2019-10-15 14:54:08
  • 不同的电压,主要是内存工作的频率不同。一般高电压的内存工作频率更高。电压越高动力越足。1、DDR3的标准电压是1.5v,所有DDR3内存都可以工作在这个频率下。2、一些厂家,为使内存工作在更高频率,要求内存电压为1.65v。比如金士顿的骇客神条就需要用户手工调整电压,以便于内存工作于更高的频率,并且更利于超频。3、笔记本,很多则为了节能,采用了低电压的设计。1.35v是低电压,可以有效节能,但内存工作的频率也就限定死了,不能超频使用。
    龚巍峥2019-10-15 14:18:21
  • ddr3代内存的两个版本1.5v是标压版。1.35v是低压版后面会有L标识。好像不通用。
    赵颖馨2019-10-15 13:00:35
  • 1.35V是DDR3L低电压内存条的工作电压,DDR3标压是1.5V的,如果你看到DDR31.35V那基本就是写错了,其实就是DDR3L的条子,理论上DDR3L低电压和DDR3标压是能混合使用的,但是如果你的CPU是haswell平台不行,不会不兼容,其他平台问题不大。你要买那就买1.35V的内存条不管是DDR3还是DDR3L了。
    边向南2019-10-15 12:59:18

相关问答

DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?DDRSDRAM:严格的说DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDRSDRAM,就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLLDelayLockedLoop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2的详解RDRAM:RDRAM,而DDR3最低都有1333左右,这个就跟电脑处理器的主频是差不多的,但是呢,随着频率的提高,延时也加大了,所以,最低的DDR3速度不会比最高的DDR2快,同样,DDR2533也比DDR400快不到哪里去但同一类型不同频率的内存可以混用只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率这样会造成性能浪费.SDR有PC-100和PC-133DDR有226333400DDR2有5336678001066DDR3有1066133316002000甚至更高希望能帮助到你。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。