DDR3内存频率都是有多少的,工作电压是多少

窦雅丽 2019-12-21 17:48:00

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1、工作电压不同DDR3电压为1.5V,DDR3L电压为1.35V。2、兼容性不一样DDR3与DDR3L在大多数情况下兼容,但在Haswell平台下却不完全兼容Intel Haswl处理器,Intel Haswl为了更好的降低功耗,其支持的内存类型只有DDR3L,并不能兼容DDR3。3、功耗有所区别DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则是1.35V工作电压,DDR3L低压内存大约比DDR3标压内存节能2W左右。4、性能上有所区别DDR3标压内存相比DDR3L低压内存,性能强了大约10-15%左右。5、价格区别DDR3L低压内存相比DDR3标压内存要略便宜一些-DDR3。
赵高印2019-12-21 18:02:32

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其他回答

  • 可以的。但是会让频率高的内存条降频至低的频率使用。内存的选取上基本看3大项。第一考虑的是主频,因为不同的主频的内存插在一起或者是主板根本不支持的主板会产生兼容性的问题的。例如主板支持800/1066/1333之类的,并不是说主板可以同时插这几种不同的规格。比如插的第一条是800MHz,第二条是1066MHz的。其结果是1066降到800运行,这是一个“水桶效应”主板支持多少,在主板的包装盒和说明书上都有详细的标注。而且,内存品牌最好一致,否则不同厂商使用的不同工艺即使在参数一致的情况下也有可能出现不兼容的情况。第二是容量,虽然说内存的容量越大越好。但说实话一般用户使用4G的内存已经绰绰有余了。而且,32位的Winodws系统也只能支持到3.25G的内存容量。再大的系统就无法识别了。所以,如果要升级到4G以上就必须使用64位的系统了。可以右击“我的电脑”选择“属性”里面有写系统是多少位的。第三就是CL延迟,这个词比较专业无法三言两语和普通话来说明了。简略说明如下。CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CASLatency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。这是一个生产工艺导致的问题,因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。还有另的诠释:内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
    齐昌志2019-12-21 18:37:11
  • 1.5V标准电压内存最好,推荐骇客神条。
    连俊文2019-12-21 18:19:45
  • 对内存来说,只有标准电压才是安全的。尽管内存条本身能够承受提高的电压,但主板的内存槽供电部分才是隐患。我见过的内存损坏案例中,除了静电,弯折等人为因素外,都是由于主板内存槽供电电容损坏,把内存牵连的。低端主板经常采用廉价的元器件,本来就不太可靠,长期提高电压的话.........。
    齐新洲2019-12-21 18:09:38
  • DDR4内存:低电压高频率DDR4内存优点:电压更低,功效更高频率和带宽提升并不是DDR4唯一的重点,对服务器应用来说内存功耗也是要考虑在内的,DDR4内存的工作电压从DDR3的1.5V降低到了1.2V,这有助于提升DDR4内存的效率,降低电力消耗,同时对散热也大有裨益。DDR4内存电压降低了,功耗也低了DDR那一代的工作电压高达2.5V,随后DDR2降低到了1.8V,DDR3又降低到了1.5V,DDR3L低电压版则是1.35V,而DDR4的工作电压只要1.2V,低电压版尚未完全确定,不过可以低至1.0-1.05V,相比DDR3L进一步降低功耗。DDR4实物对比之前我们论坛网友jackyzhou首曝的美光DDR4内存之后限制了每通道的内存数DDR3内存使用的是双向传输机制,内存和内存控制器之间通过多点分支总线连接,每条通道通常都可以支持2条DIMM内存,而DDR4内存则改用了P2P点对点总线,每通道只能支持一根内存,这样做的好处是效率更高,提升频率更容易,缺点则是内存容量扩展不容易,不过DDR4内存单条容量受益于存储密度的提升,使用单条8GB或者16GB的DDR4即可避免这个限制。这个问题对用户实际使用影响也不大,目前X99主板的标准配置依然是4通道8插槽,虽然DDR4的规范是每通道只支持1条DIMM内存了,不过它还可以支持动态切换来扩展每条内存通道的内存数量。
    赖鸿春2019-12-21 17:56:52

相关问答

严格的说DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDRSDRAM,就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLLDelayLockedLoop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240PINDIMM接口标准,完全不兼容于DDR的184PINDIMM接口标准。DDR2和DDR一样,采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但是最大的区别在于,DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力,而是,在采用更低发热量,更低功耗的情况下,反而获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。最后说下DDR3其实它相对来说我觉得叫DDR2pro应该更为贴切.因为它其实是DDR2的延伸..只是提升了频率降低了能耗..实际的技术并没有特别的变化现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少..主要区别是从槽子上区分的,如图。