刚刚对着一个手机充电器板子画的个图.请高手说说这个电路的原理.那个三极管相连的一大片电阻电容二极

黄生万 2019-10-15 12:29:00

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只要能回答的都是高手,这个玩意用在市电上的东西,一些个元件 实际规格参数,也不知道,怎么弄嘛,你那些个元件都是什么规格参数的,还不如果叫别直接跟你设计一个电路图出来,还好。
车建军2019-10-15 14:18:58

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其他回答

  • 充电器的要求电压,功数大小,恒流恒压,麻烦。
    赵饮虹2019-10-15 14:03:12
  • 你们老师靠你,你考大家啊?没你这个出题法的。这个题目你这么出:我需要用分立元件组件一个充电器,充电器输出电压多少?电流多少。
    齐晓桦2019-10-15 13:01:17
  • 你的电路图没有画对,如果按照你的图安装的话一通电c3准报销。C3起一个冲电的着用,你这样子也不可能会冲电呀。三极管是起振荡作用的。回答满意记得好评哟。
    赵顺达2019-10-15 12:59:53

相关问答

当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏。拓展资料二极管,。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。二极管。