Ddr2,ddr3,ddr4内存条的读写速率分别能达到多大?

黄焕镐 2019-10-15 13:09:00

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这个第几代内存的型号。DDR是最早的内存,速度慢,功耗大,电压2.5V。DDR400就是一个例子,速度是400mhzDDR2是第二代内存,电压1.8V,速度一般都是667或800。DDR3是目前最普遍的内存,电压1.5V,速度很快,容量也很大,单条最大可达到8GB,频率从1066-2400mhz不等。DDR4是新一代内存,没有普及,速度非常快,目前只能在IntelX99主板上使用。所以不能共用一台机器。
齐晨光2019-10-15 14:19:57

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  • 1、这个应该是金士顿ddr2的条子,800外频,2g大小。2、照片很模糊,根据贴纸信息所得。3、目前该条已经淘汰,用处不大,可以闲鱼出掉。
    齐新良2019-10-15 14:55:05
  • 133316002133读写大概是5000M/S。
    齐杭丽2019-10-15 14:36:38
  • DDR2、3、4内存规格,不是以频率来区别的,是由其工作原理及架构技术标准设计的啦。每种规格都有不同频率啦:1、DDR内存,最低标称频率533MHz,高频有667、800MHz;2、DDR3最低标准频率1066MHz,常用1333、1600规格,高频版最高达到2666MHz;3、DDR4最低2133MHz起步,最高达到3466MHz。
    龚少英2019-10-15 14:04:21

相关问答

DDR,DDR2,DDR3内存区别在哪些地方?DDRSDRAM:严格的说DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDRSDRAM,就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLLDelayLockedLoop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2的详解RDRAM:RDRAM,而DDR3最低都有1333左右,这个就跟电脑处理器的主频是差不多的,但是呢,随着频率的提高,延时也加大了,所以,最低的DDR3速度不会比最高的DDR2快,同样,DDR2533也比DDR400快不到哪里去但同一类型不同频率的内存可以混用只不过频率高的内存会自动降频至频率低的内存的工作频率这样会造成性能浪费.SDR有PC-100和PC-133DDR有226333400DDR2有5336678001066DDR3有1066133316002000甚至更高希望能帮助到你。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。