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简单回答下。半导体表面和金属接触时,载流子会重新分布,电子会从费米能级较高的n型半导体转移到费米能级较低的金属。这一过程直到两者费米能级相等。相等的同时形成肖特基势垒,并捕捉光生电子,防止与光生的空穴复合湮灭。所以贵金属沉积太多,会带来这几个问题:材料的稳定性收到影响,很多贵金属在激发光的照射下就会发生熔化和产生团聚,这就形成了大晶粒尺寸的粒子,降低材料的比表面积。这是光催化比较禁忌的。光生载流子的产生依赖于半导体,贵金属覆盖面积太大时,半导体吸收光的效率下降,而且光生空穴也难以迁移到材料表面,影响催化活性。成本提高。祝好,以上。
齐春对2019-12-21 23:21:31
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