笔记本IBMT61内存条问题

简福爱 2019-10-15 09:38:00

推荐回答

卸下后面的四个螺丝螺丝边上都标有掌托符号然后轻轻扣下掌托,就看见内存条了,然后在空槽处把内存倾斜45度角倾斜插入然后往下一按让卡扣卡住就OK了。然后装上掌托拧上螺丝。
龚岳明2019-10-15 09:59:46

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其他回答

  • 增加内存的注意事项:1、频率要一致。比如原来是1333的,最好也找1333的内存。2、频率如果找不到一致的,DDR3代内存,可以找相近的频率。比如1066的,一般可以用1333的,但不要用1600的,很可能不兼容。3、老主板增加内存,最好用双面16颗粒的,比单面8颗粒或单面4颗粒的兼容性好得多。4、笔记本,往往有一些机型只支持低电压内存,增加时要注意,如果买了标准电压,可能会因为供电不足而不稳定。
    齐春正2019-10-15 11:02:12
  • 这款本是内存是DDR二代内存,一共有两个内存槽,可以扩展到4G内存,也就是说更换两条2G的二代内存,笔记本硬件疑惑解答。
    穆高超2019-10-15 10:01:14

相关问答

笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。