笔记本换内存条具体看什么参数啊

齐德瑄 2019-12-21 17:45:00

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是这样的。如果你要插2根内存。这2根内存必须要一模一样才行。也就是厂家一样,品牌一样。型号一样。各项技术参数一样。不同的内存条千万不要同时插!轻者降低速度,点不亮开不了机。重者主板立刻冒烟烧毁!这时你会闻到一股电器短路那样的烧糊烧焦的气味。我的电脑就是这样烧坏的。如果你想升级内存,并且你的主板最高能支持8G或更高的内存的情况下。当然是买2根4G的好些。或者你先买一根4G的。将来再买一根4G。又如果你的经济不宽裕的情况之下,那就买2根2G的。还有。一根4G的内存没有两根2G的好。同理,一根8G的没有两根4G的优秀。希望这个回答能帮助你。
齐文芹2019-12-21 18:19:38

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其他回答

  • 依然显示原内存大小的原因,主要有两点。1,系统版本问题。换内存的时候,必须要确定自己系统版本的类型。是32位还是64位。如果是32位,扩展完内存之后,是不会从“我的电脑”中的属性里,直观的显示出内存大小的。但可以显示出总大小,但实际可用却只有3G左右。64位系统,则不会出现此类问题。2,内存条的问题。可能出现的兼容、或者内存条安装、以及内存条本身的质量问题等。如果没有在安装的时候,插紧内存条,会有可能读不出。如果内存条本身有问题,可能安装好了也会读不出。此类情况,需要调换。一般来说,推荐大厂品牌,如三星等。切不可贪图便宜。
    龙小花2019-12-21 18:09:27
  • 估计你没有开启双通道:1,先把两根都插上,原来的插到靠近cpu的位置,没插过的那个插槽要用薄刀片得背面刮一下内侧氧化层2,取下主板电池,停5分钟再放上去,开机试试3,开启双通道,开机按detel键进bios,找到Advanced,其中找到DualChannel项设定为Enabled即可。如果不行,那就是内存条本身有质量问题,建议更换。
    龚尚英2019-12-21 18:02:22
  • 笔记本电脑可以自己加运行内存,但需要事前确定能否添加内存及添加何种类型何种容量的内存。具体操作如下:一、检查确定电脑能否添加内存。电脑能否在原有内存基础上添加更多内存,必须先确定电脑主板上是否有多余的内存插槽。这个可通过软件检测或实物检查。1、软件检测:如可通过运行CPU-Z、鲁大师等工具检测主板上的插槽及剩余插槽数量。如下图所示,该主板有两个内存插槽。2、实物检查:可打开笔记本外壳上的内存卡盖,并用大拇指向下用力按压,使卡扣合位。注意:安装完成后,看能否正常开机,如不能,则需要检查内存是否安装到位或新旧内存是否兼容。如果能够进入系统,再通过鲁大师等工具检测内存容量是否包括了新增加的及新内存是否正确检测出来。
    齐有利2019-12-21 17:56:41

相关问答

笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。