ddr4和ddr3的区别

黄省身 2019-11-03 13:48:00

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一、工作电压不同1、ddr4:标准工作电压为1.2V,最低可降至1.1V—1.05V,相比于ddr3更节能。2、ddr3:标准工作电压为1.5V,节能版为1.35V。二、工作频率不同1、ddr4:标准工作频率为2133MHz,最高可以达到3200MHz。2、ddr3:标准工作频率最高为1600MHz。三、预取机制不同1、ddr4:采用16bit预取机制,同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍,更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升。2、ddr3:采用8bit预取设计,DDR3显存规格为8MX32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。DDR4内存-DDR3SDRAM。
龙层花2019-11-03 14:36:45

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  • 带宽方面,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/S的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
    龚小超2019-11-03 15:00:41
  • DDR3和DDR4的区别如下:一、外观不一样一般情况下DDR4内存金手指触点达到了284个,而且每一个触点间距只有0.85mm,DDR3内存金手指触点是240个,因为这一改变,DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出,边缘收矮的形状,在中央的高点和两端的低点用平滑曲线过渡。二、内存频率不一样DDR3内存的最高频率只能达到了2133;而DDR4内存的起始频率就已经达到了2133,产品的最高频率达到了3000,从内存频率来看,DDR4对比DDR3提升空间很大。三、功耗不一样DDR4功耗明显很低,一般电压达到1.2V,上一代DDR3内存,采用1.5V标准电压,而DDR4内存则降低为1.2V,甚至可以做到更低,功耗下降了,并且可以减少内存的发热。
    齐文炎2019-11-03 14:19:03
  • DDR4比DDR3的频率高,版本级别高,但是内存是一样,这就是区别。越高的频率,意味着更大的带宽,就可以更好的适应新的CPU的要求。DDR3L是低电压版的笔记本内存。笔记本内存条DDR4-2133SDRAM和DDR3L,所以DDR3L比DDR3功耗小,性能也略低。sdram最次速度比DDR慢一倍。
    齐新社2019-11-03 14:02:39
  • 一、内存条中DDR3和DDR4的区别的区别如下:1、功耗不同DDR4是当前市场上最新一代的内存,而DDR3是老一代的内存,在用电功耗上,DDR4功耗比较低,而老款的DDR3功耗就比较高了。2、兼容能力不同主板上面的内存插槽都是向下兼容,也就是最新的主板不仅可以兼容DDR4,也可以兼容DDR3,而一些以前的主板,只能兼容DDR3,不能兼容DDR4。3、最高频率不同DDR3作为上一代的内存,它能支持的最高频率只到2800,而DDR4的最高频率可以达到4200。二、1333和1600指的是内存条的频率,他们唯一的区别就是频率不同。
    章西海2019-11-03 14:01:40

相关问答

一、DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。二、DDR4与DDR3内存差异二:外型大家注意上图,宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。三、DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。