DDR4与DDR3有什么区别

麻玲玲 2019-11-03 13:51:00

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一、内存条中DDR3和DDR4的区别的区别如下:1、功耗不同DDR4是当前市场上最新一代的内存,而DDR3是老一代的内存,在用电功耗上,DDR4功耗比较低,而老款的DDR3功耗就比较高了。2、兼容能力不同主板上面的内存插槽都是向下兼容,也就是最新的主板不仅可以兼容DDR4,也可以兼容DDR3,而一些以前的主板,只能兼容DDR3,不能兼容DDR4。3、最高频率不同DDR3作为上一代的内存,它能支持的最高频率只到2800,而DDR4的最高频率可以达到4200。二、1333和1600指的是内存条的频率,他们唯一的区别就是频率不同。
黄砥中2019-11-03 14:02:44

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  • 带宽方面,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/S的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。
    齐文菡2019-11-03 15:00:42
  • DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。DDR4相比DDR3最大的区别有三点:1、16bit预取机制,同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;2、更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;3、工作电压降为1.2V,更节能。扩展资料:根据此前的规划,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”虚拟开漏极技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。三星称,2019年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在2019年下半年完成DDR4标准规范的制定工作,预计2019年开始投入商用。DDR4。
    赵骥万2019-11-03 14:54:38
  • DDR3和DDR4的区别:1、外观:DDR4内存金手指触点达到了284个,每一个触点间距只有0.85mmDDR3内存金手指触点是240个,间距1mm。因为这一改变,DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出,边缘收矮的形状,在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。DDR4模组上的卡槽与DDR3模组卡槽的位置也不同。两者的卡槽都位于插入侧,但DDR4卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。2、内存频率:频率方面,DDR3内存最高频率只能达到了2133。DDR4内存的起始频率就已经达到了2133,产品的最高频率达到了3000,从内存频率来看,DDR4相比DDR3提升很大。3、内存容量:DDR4内存容量提升明显,可达128GB,上一代DDR3内存,最大单条容量为64GB,实际市面上能买到的基本是16GB/32GB,而新一代DDR4内存,单条容量最大可以达到128GB,媲美SSD了。4、功耗:DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低,上一代DDR3内存,采用1.5V标准电压,而DDR4内存则降低为1.2V,甚至可以做到更低,功耗下降了,更省电,并且可以减少内存的发热。5、主板兼容:能兼容DDR4的只有Intel六代CPU对应的100系列主板和AMD新出的支持AM4接口的主板。而DDR3则几乎支持市面上能够买来的所有主板。
    童觊军2019-11-03 14:36:48
  • 一、工作电压不同1、ddr4:标准工作电压为1.2V,最低可降至1.1V—1.05V,相比于ddr3更节能。2、ddr3:标准工作电压为1.5V,节能版为1.35V。二、工作频率不同1、ddr4:标准工作频率为2133MHz,最高可以达到3200MHz。2、ddr3:标准工作频率最高为1600MHz。三、预取机制不同1、ddr4:采用16bit预取机制,同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍,更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升。2、ddr3:采用8bit预取设计,DDR3显存规格为8MX32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。DDR4内存-DDR3SDRAM。
    连一霏2019-11-03 14:19:07

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一、DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。二、DDR4与DDR3内存差异二:外型大家注意上图,宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。三、DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。