是不是DDR4的内存条都是低压1.2V?

辛姝玉 2019-10-15 09:39:00

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1.35V为DDR3L,为低电压版,被较新的CPU支持,DDR3L是伴随着2019年的Haswell四代智能酷睿处理器才出现的;1.5V为DDR3,为标准版,为早期CPU支持,出的更早,功耗发热全高一些,一些全新的主板不能支持了。拓展资料谓的高压内存条其实指的就是标准压,由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作,因此生产低电压内存要求更高的品质,出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好,这也是低电压内存的优点之一。因此,内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低,更加环保。
龙庆丰2019-10-15 11:18:37

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其他回答

  • 厂家就是这么出的。ddr4内存全是这个电压。ddr4的内存没有低电压的产品。所有产品的电压全是一个标准的。
    赵飞雪2019-10-15 11:36:21
  • 低压版的,为了节约电池的电量,延长待机时间你买HQ的处理器,一般都是1.5的。
    黄皖林2019-10-15 11:02:12
  • 不一定,DDR4内存频率最高有可能高达4266MHz,电压则有可能降至1.1V乃至1.05V。DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”虚拟开漏极技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。扩展资料:DDR3和DDR4区别:DDR3内存的起始频率仅有800MHz,最高频率可达2133MHz。而DDR4内存的起始频率就有2133MHz,最高频率可达3000MHz。更高频率的DDR4内存在各个方面的表现和DDR3内存相比有着显著的提升,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps的带宽,那么DDR4-3200就是51.2GB/s,这比DDR3-1866的带宽提升了70%。通常情况下,DDR3的内存的工作电压为1.5V,耗电较多,而且内存条容易发热降频,影响性能。而DDR4内存的工作电压多为1.2V甚至更低,功耗的下降带来的是更少的用电量和更小的发热,提升了内存条的稳定性,基本不会出现发热引起的降频现象。DDR4。
    黄白红2019-10-15 10:01:15
  • DDR4内存都是1.2V电压的,全部DDR4都是一种电压的,只有DDR3才有标压和低压的,DDR3L是1.35V,标准DDR3是1.5V。
    龚巨发2019-10-15 09:59:47

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笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。