ddr4内存都是低电压吗?

黄琼念 2019-10-15 10:56:00

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ddr4有低电压版的吗。
齐晓华2019-10-15 11:04:57

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其他回答

  • 不超频无所谓,都能用,要超频,买神条,是否低电压无所谓,板子都支持。
    黄登盛2019-10-15 13:01:43
  • 个人觉得你的描述不是很清楚。如果是问到DDR4和DDR3的工作电压的话,DDR4为1.2V,DDR3为1.5V。
    边吴丽2019-10-15 11:55:29
  • 都是1.2v的吧。
    赵颐轩2019-10-15 11:38:13
  • 不是,1.2V的一般都是普通型号,一些内存条的高端型号比如金士顿骇客神条系列有1.35V的,甚至有1.5V的。
    窦连水2019-10-15 11:20:46

相关问答

内存DDR3低电压术语为DDR3L,与正常的DDR3比较见下图。其中标注PC3就代表该内存为标准版的DDR3,工作电压为1.5V。而标注PC3L的内存为低压版的DDR3L,工作电压为1.35V,区别就是工作电压不同。DDR3L不局限于Haswell,并且多数情况下可以和DDR3混搭使用。在很多人的印象中,DDR3L是伴随着2019年的Haswell四代智能酷睿处理器才出现的,际上,在Haswell之前的上一代lvyBridge下文简称IVB,三代智能酷睿处理器上,英特尔就加入了对DDR3L内存的支持,包括联想Yoga在内的很多IVB平台超极本就已经武装上这种低压内存可惜,IVB时代的DDR3L内存还属于“稀缺资源”,在2019年初市面上能买到的DDR3L内存也就仅有镁光Crucial英睿达和三星黑武士等几款而已。到了Haswell时代,英特尔终于将DDR3L列入了标准的内存规范,基于该平台设计的所有笔记本、超极本、超薄本都标配着一条或多条DDR3L内存。问题来了,Haswell平台新品还能支持1.5V的标准DDR3内存吗而低压版的DDR3L又能否工作在Haswell平台以外的笔记本身上呢。更持久的使用时间一直是笔记本不断追求的核心卖点,CPU通过不断降低的TDP来延长续航时间,而内存条则借助不断降低的电压来减小电池的消耗,升级史其实也是电压的降级史,其目的就是减小耗电量和降低发热量性能不受影响。此外,AMD最新的RichlandAPU平台笔记本也支持DDR3L内存。DDR3L不局限于Haswell,并且多数情况下可以和DDR3混搭使用。DDR3L内存的SPD芯片里会包含支持电压的数据,可根据芯片组的内存插槽的支持自适应1.5V或1.35V的工作电压。但是,正如前文所说,英特尔方面是从IVB开始才引入DDR3L内存的支持规范,也就是说DDR3L只有安装在2019年IVB或Haswell平台才能工作在1.35V的低压上,而安装在更老的平台时依旧只能以1.5V的电压运行,起不到节能环保的效果。此外,部分老款笔记本可能存在一定的挑内存现象。总之,为了避免出现不可预见的兼容性问题,并且根据物尽其用的原则,我们只建议2019年下半年才上市的IVB和Haswell平台新品与DDR3L内存搭配,更老的平台在购买DDR3L内存前一定要和卖家沟通,询问一下兼容性问题,并得到不兼容可退换货的许诺。需要注意的是,DDR3L内存普遍从单条4GB容量起步,甚至还有单条8GB的版本。但是,包括Calpella平台在内的老款笔记本芯片组为HM55、GM45/PM45或更老,也就是2019年之前的机器最高仅支持单条4GB内存。选购建议不管你的机器是否属于Haswell平台,尽量选择DDR3L内存前提是你的机器能正确识别DDR3L,一般来说2019年以后购买的笔记本都能支持DDR3L。需要注意的是,DDR3L内存在类似京东等电商平台都能难找到,以此想要购买DDR3L内存的话,淘宝或天猫商城是最好的选择了,不过注意千万别买到假货哦。
一、DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。二、DDR4与DDR3内存差异二:外型大家注意上图,宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。三、DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。