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我华硕v555u笔记本看了内存条是ddr3的,官网显示这款应是ddr3l,那我加内存条要买哪个?
龙宜楠
2019-11-03 13:46:00
推荐回答
华硕v555u笔记本内存规格为:板载2G/4G/8G内存,1xSODIMMsupport2G/4G/8GDDRIIIL低压1600。
黄登荣
2019-11-03 14:02:37
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其他回答
ddr3后面带的L,用来表示是低压版内存,也就是说ddr3l的内存条还是ddr3内存,只不过供电电压不是1.5v而是1.35v,本子主板一般同时支持普通ddr3和低压版ddr3内存。
窦连臣
2019-11-03 14:01:38
相关问答
笔记本原装为DDR3L的内存条,能不能换成DDR3内存条组双通道,
笔记本DDR3内存是204pin插脚,而台式机是240pin,长度和引脚都不一样,所以不能通用。
内存条DDR3L和DDR3有什么区别,我电脑是DDR3L的,可以装DDR3的吗?
最好是ddr3L。
我的笔记本自带的是DDR3L的内存,可以换DDR3的么
不能,你那个是低电压内存条,要买ddr3l内存条,后缀的l表示低电压的意思。
笔记本内存条ddr3l和ddr3可以通用吗,插口一样吗?
DDR3L低电压条子和DDR3标压条子接口的针脚PIN都是一样的,唯一的区别就在于工作电压,DDR3L是1.35V的,DDR3是1.5V的,理论上可以混合使用。
惠普HP的Pavilion15e064TX笔记本的内存条用的是DDR3还是DDR3L?
针对疑问作出一些解释吧:DDR3L和DDR3一样都是三代的,不过DDR3L全称为“DDR3LowVoltage”低电压版DDR3,将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V,并保持功能上的全面兼容,在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15%或者更多;卡槽上显示1.5Ⅴ表示主板支持DDR3的内存,此时主板对内存插槽的输出电压是不分DDR3和DDR3L的,可以混用。支持DDR3的板子电压一直是1.5V,插上DDR3L的条子也是1.5V。如果主板仅支持DDR3L的条子,插槽电压输出为1.35V,此时插DDR3的条子可能无法工作。
我买的华硕v555u,内存条型号是ddr3l,但我用鲁大师检测出来是ddr3
华硕v555u笔记本内存规格为:板载2G/4G/8G内存,1xSODIMMsupport2G/4G/8GDDRIIIL低压1600。
均线挡道的特征和操作要点有哪些?
均线挡道的特征和操作要点
一、特征
1、均价线应一直处在股价线之上,且呈水平状态横向移动。
2、股价线绝大多数情况下处在均价线的下方,一般不会突破均价线,即使突破,停留的时间也会很短,幅度很小,会很快回到均价线的下方。
3、股价线受到均价线阻挡前,须与均价线有一段较大的距离,如果两线始终靠得很近就不是均线挡道。
二、操作要点
1、要注意均线挡道形态出现时的价位。
检查该股的日线走势图,如果处在调整后的低位最好不要做空,只有处在高位的“均线挡道”形态才可做空。
2、利用均线挡道形态进行拨档操作的基本条件:
1)均线挡道形态出现时,股价线和均价线必须都处在昨日收盘线之下,即当时必须是下跌行情。
2)股价线受阻后,向下跌落幅度不能小于2%。
我笔记本加个内存条有用吗
加不加内存条,给你一个参考标准:你在玩游戏的时候,可以查看一下“任务管理器”的“性能”这一栏,中间有PF使用率,这个就是内存利用率,假如玩游戏或看视频浏览网页的时候,它高达90%以上,那么就表示内存不够用了,达到95%以上的话,基本就是卡机了,这个情况下才需要添加内存容量,否则再加内存就没有意义了。在内存容量已经足够的情况下,继续增加内存容量不会对系统运行速度的提升有任何的帮助。毕竟内存只是一个用来存放临时数据的地方,真正对系统运行速度有直接影响的还是CPU,内存只有在不够用的情况下,系统才会将一部分的程序寄存到硬盘的虚拟内存中去,硬盘的数据读写速度比起内存来说太缓慢了,瓶颈效应很明显,所以会一卡一卡的。但是,如果内存容量远远高出实际需求的时候,运行速度就只能依靠CPU了。
华硕F1A55MLX请问我这个主板加内存条是加DDR3还是2?
尊敬的华硕用户,:华硕主板F1A55-MLX是带有两个PCI-EX16显卡插槽的,是可以支持安装PCI-EX16接口独立显卡的。如若以上建议仍未解决您的问题,请您登录华硕在线技术网站http://vip.asus.com/IMPresale/IMLink.html寻求技术支持,最后,祝您工作顺利,生活愉快。编辑于 2019-07-25产品注册官方网站服务中心向TA提问。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。
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