笔记本DDR3内存能不能换装DDR4内存?

黄灵荣 2019-10-15 12:51:00

推荐回答

原来是什么内存,要换就换什么内存,不要耍个花样琢磨什么DDR4,除了制造兼容性灾难以外你不会获得任何有益效果。8G内存对于笔记本来说已经是通杀了,几乎没什么应用能在8G以上的内存获得好处。能不能别瞎折腾了。
黄白玲2019-10-15 14:19:31

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其他回答

  • 不可以也没什么必要实际体验差别不是特别大如果觉得慢建议换固态或者加相同的内存。
    边剑飞2019-10-15 15:00:56
  • 不可以的,两种内存不通用。
    齐景梁2019-10-15 14:54:45
  • DDR3和DDR4插槽是不一样的,所以一般来说是不可以的。除非主板支持两种内存,但是目前的笔记本来说,还没有同时支持两种内存的笔记本。
    齐有伟2019-10-15 14:03:53
  • 回答:笔记本DDR3内存不能换装DDR4内存。同一台是你上只有使用相同代数的内存条才能正常开机的。不同代数的内存条混插是无法正常使用的。另外,只有很少数的主板可以同时支持两代内存条的,绝大多数主板都只能支持相同代数的内存条,内存插槽也只有一种,不同代数的内存条是无法插入的。DDR3内存和DDR4内存的插槽是不相同的,内存条上有一个缺口,要对准插槽才能插下去的。DDR3内存:DDR4内存:拓展:内存DDR3与DDR4有什么不同之处:在处理器方面,DDR4比DDR3内存速度更快,每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。DDR3内存支持频率范围为1066~2133,而DDR4内存支持频率范围为2133~4000。因此在相同容量的情况下,DDR4内存带宽更为出色。容量和电压方面,DDR4比DDR3功耗更为出色,DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。DDR3内存的标准工作电压为1.5V,而DDR4降至1.2V,移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V,工作电压更低,意味着功耗更低。在外形方面,内存插槽不同,在外观上DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。而DDR3和DDR4两种内存插槽的不同,也就导致了并不是所有的主板都支持DDR4内存,尤其是100系列以下主板都是不支持DDR4内存的。
    连业钦2019-10-15 13:01:56

相关问答

笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。