带ECC功能的笔记本DDR3内存

龙开合 2019-12-21 17:59:00

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其实这是一种内存,多数ECC内存都用在服务器主板上,相对普通内存来说,ECC内存增加了数据校验功能,在确保数据完整和正确性两方面比普通内存效果好,但是相比普通内存来说因为增加了数据校验功能意味着ECC内存的数据处理速度比普通内存要稍慢,不过因为现在多数内存采用了DDR3颗粒,效率较以前的DDR2和DDR已经有了明显的提高。
辛国省2019-12-21 18:10:30

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  • 一、板载的内存颗粒数量区别:ECC内存为服务器内存,该类内存条多了一颗ECC错误校验储存芯片,ECC的应用可以保证服务器在运转中更安全稳定。而普通内存条储存芯片数为偶数。二、应用的技术区别:ECC内存条添置ECC错误校验技术,经过错误校验、纠正,可以有效的保证服务器系统的稳定性和可靠性。而普通内存条不配备校正错误技术,因此字检测到错误时,并不能确定错误位置,也无法修正错误。三、应用领域的区别:由于ECC内存能有效的保存和维持数据的完整性,同时配备校验和纠正技术,ECC内存进一步减少了数据崩溃情况,因此多应用于在金融等行业以及科学界等服务器及图形工作站上,普通内存条只能用于家用台式机。四、内存条的容量区别:由于服务器的内存应用对于其容量要求更高,因此ECC内存条容量通常是以4GB起步,而普通内存条容量通常是以2GB起步,家用电脑上标配均为4~8GB的内存。五、价格的区别:由于ECC内存条的技术含量更高,内存容量也较普通内存大。因此ECC内存条比普通内存的价格要贵。内存-ECC内存。
    龙家衡2019-12-21 18:37:35
  • 针脚都是一样的,ECC的DDR3是服务器内存条无非带有奇偶校验功能,针脚做工都是一样的,理论上也能通用。
    黄生鹏2019-12-21 18:20:19
  • DDR3内存主要分台式机、笔记本、服务器三种!ECC只是代表验证而已!只要是台式机的DDR3内存,ECC验证的可以跟任何DDR3台式机内存通用!只要是笔记本的DDR3内存,ECC验证的可以跟任何DDR3笔记本内存通用!只要是服务器的DDR3内存,ECC验证的可以跟任何DDR3服务器内存通用!ECC定义:相对普通内存来说,ECC内存增加了数据校验功能,在确保数据完整和正确性两方面比普通内存效果好,但是相比普通内存来说因为增加了数据校验功能意味着ECC内存的数据处理速度比普通内存要稍慢。
    辛培成2019-12-21 18:03:18

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笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。