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禁带宽度SiO2:8.9eV,Si3N4:5.1eV。介电常数SiO2:3.9,Si3N4:7.0传统工艺一般采用SiO2做阻挡层，但当其厚度减小时，漏电流增大，并出现杂质扩散现象，影响器件性能。在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用SiO2，一切应以实验数据为准。
龙宏辉2019-12-21 20:57:42
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