笔记本DDR3内存1333和1066能否同时使用?

黄百学 2019-12-21 17:54:00

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笔记本现在的主板就支持到1066而且双通道如果一根是1066的一根是1333的系统会自动把1333的频率调到1066已组成双通道双通道的频率是以1066位准的。
黄盛林2019-12-21 18:09:58

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其他回答

  • 如果你的条一根是1066,另一根1333最好别一起用,要用就用同样频率的,不然会不兼容,1333和1066的区别就是1333读取速度要比1066的快,而且功耗大点,其他没啥了,而且别用尔必达的条了,破产了。
    路誉盛2019-12-21 18:54:07
  • 这需要看电脑主板是否支持1333速度的内存,支持就可以,不支持是白花钱。
    辛均安2019-12-21 18:37:18
  • 1、频率方面:DDR31066的实际运行频率是1066MHz,而等效频率为1333MHz/8=166MHz;2、带宽方面:DDR31066MHz内存的带宽为1066MHzX64Bit/8=8.528GB/s;DDR31333MHz内存的带宽为1333MHzX64Bit/8=10.664GB/s。
    章西海2019-12-21 18:19:57
  • DDR31333内存是兼容DDR31066的。如果DDR31333内存和DDR31066的内存一起使用,DDR3会降频运行在和DDR31066一样的频率上。其实电脑内存条标示的并不是其运行频率,而是运行频率的两倍,比如DDR31066真实运行频率是533MHz。另外,不同频率的内存虽然可以兼容,但也不绝对,有些内存兼容性差,可能不能一起使用的,所以最好使用完全一样的内存才会让系统出错的机会减少。
    齐春惠2019-12-21 18:02:49

相关问答

严格的说DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDRSDRAM,就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLLDelayLockedLoop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240PINDIMM接口标准,完全不兼容于DDR的184PINDIMM接口标准。DDR2和DDR一样,采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但是最大的区别在于,DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力,而是,在采用更低发热量,更低功耗的情况下,反而获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。最后说下DDR3其实它相对来说我觉得叫DDR2pro应该更为贴切.因为它其实是DDR2的延伸..只是提升了频率降低了能耗..实际的技术并没有特别的变化现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少..主要区别是从槽子上区分的,如图。
笔记本内存条ddr4和ddr3的区别有:外形处理器参数DDR4与DDR3内存差异一:处理器每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。DDR4与DDR3内存差异二:外型DDR4金手指变化较大宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了,并没有沿着直线设计,这究竟是为什么呢?一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变,金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。DDR4与DDR3内存差异三:参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps256MB/s的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看,仅默认频率带宽就高达48.4GB/s,可见DDR4对系统性能提升重要性。另外就是其它参数的改变,比如容量和电压。DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB,而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。而电压方面,DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造,电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。参考资料内存条.ZOL。