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为什么DC电源只能溅射导体靶材
赵鸽燕
2019-11-03 11:42:00
推荐回答
直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极,从而该方法只能溅射导体材料,不适于绝缘材料,因为轰击绝缘靶材时表面的离子电荷无法中和,这将导致靶面电位升高,外加电压几乎都加在靶上,两极间的离子加速与电离的机会将变小,甚至不能电离,导致不能连续放电甚至放电停止,溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材,须用射频溅射法。
边凤霞
2019-11-03 11:54:51
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1、电脑电源的额定功率,是指这款电源可以在输出这么大功率的情况下,能稳定且长时间工作,所能承受的输出功率。2、电脑电源的最大功率,是指这款电源可以在短间输出超过额定功率若干的情况下,仍能稳定工作,不会损坏的最大输出功率。比如显卡在玩游戏开全效的情况下,最大功耗可能达到显卡平均功耗的三倍,而此时,电源应当完全能够承受这种短时间的超负荷工作。3、选择电脑电源的额定输出功率,要按显卡最大功耗+CPU功耗,再乘以系数2来估算为宜。4、电源要求有良好的品质,电压稳定,纹波系数小,瞬时过载能力强,且适应于较宽的输入交流电压,至少是120V~260V。5、大品牌的名牌电源,品质好,故障率低,输出功率足,过载能力强,幅射低,保护电路完善,工作稳定,可靠性高,电源转换效率高。建议选择航嘉、长城等品牌。
辛国胜
2019-11-03 14:18:24
绝缘材料溅射都要用交流溅射的,比如中频。要获得更详细的信息你得去看书了。我只能大概讲讲。
齐新社
2019-11-03 13:00:05
电源的功率够、电压符合就行了。注意,半导体制冷块的热端必须加散热片,最好能连到机箱的外面,否则无法制冷。
黄相柏
2019-11-03 12:00:34
如果有可能的话,最可能的是靶材利用率,磁控旋转靶材一般在两头的位置,磁场形成回路,磁场最强,这样,磁控溅射聚集更多的自由电子,形成较强的自维持放电现象。相对应的,最容易溅射,溅射速率增强,所以溅射速度较其他地方的溅射速率快,靶材消耗就快,最后形成两端凹陷。这样情况下,凹陷部分靶材最先用完,其他地方的靶材还没有用完,所以便有了靶材利用率一说。普通的平面靶材的利用率一般是旋转靶材的1/2左右。旋转靶材的利用率一般在60%左右。如果能达到100%的靶材利用率的,除了改变磁场强度的手段,就是改变靶材的结构。但是国内能达到100%的靶材利用率的好像没有,我老人家整的“狗骨头靶材”也只能说是接近100%。希望能把图片放上来看一眼,或者联系下我。我的Q是:460的976的991。
龙平久
2019-11-03 11:59:28
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在磁控溅射镀膜过程中,薄膜沉积速率由哪些因素决定
磁控溅射的电源现在一般分为:直流电源、射频电源、直流脉冲电源、中频电源。直流电源,适用于金属靶材,并在溅射中沉积金属膜层。直流电源,离子轰击靶材的能量不足以溅射化合物靶材。直流电源在金属靶材进行反应溅射的时候容易出现以下问题:1)靶中毒。在金属靶面形成的导电性较差的化合物层不仅会造成溅射速率及薄膜沉积速率的降低,还会引起溅射工况的变化以及薄膜结构、成分的波动。2)阳极消失。从靶材溅射出来的物质将会在阳极表面沉积出相应的化合物,阻塞电荷传导的通路,造成电荷的不断积累,最后导致阳极作用的丧失。此时,放电体系的阻抗以及辉光等离子体的分布发生相应变化,放电现象变得很不稳定,溅射过程和所制备的薄膜性能发生波动。3)靶面和电极间打火。靶材和阳极表面导电性能的恶化使得靶面及阳极处产生电荷的积累,最后造成化合物层的放电击穿,在靶表面引起弧光放电。在靶材的溅射区与非溅射区之间的边界处,最容易发生打火击穿现象。打火会造成靶材表面的局部熔化和物质颗粒的喷溅。这不仅会缩短靶材的寿命,还会大大增加薄膜中缺陷的密度。
寻求国内溅射靶材厂家或者研究所。哪家做的最好。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路VLSI、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线:在平面显示器产业中,各种显示技术如LCD、PDP、OLED及FED等的同步发展,有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中,磁性存储器的存储容量不断增加,新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求,需求数量也逐年增加。市场概况日本。就美国而言.约有50家中小规模的靶材制造商及经销商,其中最大的公司员工大约有几百人。不过为了能更接近使用者,以便提供更完善的售后服务,全球主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间,亚洲的一些国家和地区,如台湾.韩国和新加坡,就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂,如IC、液晶显示器及光碟制造厂。对靶材厂商而言,这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增,不断的扩大自己的规模和生产技术,国内一线生产制造靶材的品牌已经达到国外最顶尖的技术水平。2019年,日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地,可以满足台湾50%的靶材需要。BCCBusinessCommunicationsCompany,商业咨询公司)最新的统计报告指出,全球靶材市场将以8.8%的年平均增长率(AAGR在今后的5年内持续增长,估计销售额将从1999年的7.2亿美元增加到2004年的11亿美元。靶材是一种具有高附加价值的特种电子材料,主要使用在微电子,显示器,存储器以及光学镀膜等产业上,用以溅射用于尖端技术的各种薄膜材料。BCC的报告显示:全球的上述产业在1999年使用了2.88百万公斤靶材。换算为面积,则溅射了363百万平方米的薄膜。而若以单位靶材来计算,全球在1999年则大约使用了37400单位的靶材。这里所要指出的是,随着应用产业的不同,靶材的形状与大小也有所差异,其直径从15Gm到3m都有,而上述的统计资料,则是平均化后的结果。
1磁控溅射时使用的单质金属靶材使用的计量单位。
1.靶材短路后靶材成了负载,瞬间就会产生巨大的热量。由于纯铝的熔点很低,只有660摄氏度,不但在外力的作用下靶材变形,局部还会达到熔点,形成溶洞;2。即便靶材不短路,如果冷却系统出现问题铝靶材也容易变形;3.磁控溅射镀膜电源保护性功能差,超载后不能及时自动停止工作。
磁控溅射中加热控温电源怎么用,是镀膜之前加热还是镀完膜之后加热的?
一般来说,溅射更先进一些。至少溅射镀膜是在蒸发镀膜之后才发现的。蒸发没有过时,有许多材料用蒸发镀膜出来的结果比溅射的效果要好。所以看不同的材料而已,e型电子枪是目前比较先进的加热方式了。至于磁控溅射镀膜,不要用先进与否来判定一个镀膜方式,只有更加适合与否,考虑问题的时候,不仅仅从先进着手,还得看成本,原材料的耗费与浪费,对膜层的要求是否需要那么好的镀膜方式,还有很多需要考虑的东西。如果你是刚刚毕业的大学生,找工作方面,到了一个新的厂里之后,不要局限于公司里的设备与技术,从各个方面都去了解学习。不要对任何一个技术抱着先进与不先进的态度。一视同仁。多学点对你肯定有好处。
磁控溅射镀膜中各种动量之间的关系做的是消影TP
问题太大,足够写一本书的。靶材功率越大,溅射速率越高,沉积速率越快,基本成正比,电压越高,温度越高,不成正比。氩气是溅射气体,主要工作是形成自维持放电后,轰击靶材,溅射出靶材原子、分子等,溅射气体的流量与抽气速率控制了溅射时的溅射气压,溅射气压需要维持在一个数值时,溅射速率最高。磁控溅射一般为0.2-0.5Pa。氧气是反应气体,氧气流量越大,越容易与溅射出来的金属靶材原子反应,形成金属氧化物,流量越大,金属氧化物含量越高,电阻越大,透过率越高,当达到一定量时,靶材表面被氧化,形成氧化层,不容易溅射,溅射速率急降,电压急降。溅射速率越快,沉积速率越高,膜层厚度越大。一时半会也说不清楚,我前几年写了本书,如果想要的话,联系下我,给你看看吧。Q的Q:,460的976的991。
有谁知道磁控溅射ITO薄膜的厚度范围到底是多少啊?急
首先你要考虑:你是想学镀膜的工艺还是镀膜设备方面的技术?装饰镀方面国内外差距不大了,国内的设备稍便宜,但是膜层质量已经能做到很好。工具镀方面国内外差距就很大了,国外的工具镀膜公司基本上都是卖设备,然后设备配有工艺,但是国内的厂家在这方面经验就很少。至于待遇问题,如果你能做到工艺大师傅的话,我想工资水平至少在5000以上,但是你做设备方面的工程师,工资水平不会太高,除非你有很强的技术水平。如果有机会的话,我建议你去外企,例如:瑞士Balzers巴尔查斯\瑞士Platit\德国CemeCon\德国PVT普威特\德国Metaplas=瑞士Sulzer\另:不管是磁控溅射还是多弧,就蒸发源本身来讲,已经做的很好了,但是对于工艺的开发,基础理论等要比国外的企业差很多。
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